2024.03.06 Update
低エネルギー逆光電子分光法（LEIPS）
有機ELなどの有機半導体デバイスでは、伝導帯の電子状態が材料とデバイスの性能に直結します。近年、低エネルギー逆光電子分光法（LEIPS：Low Energy Inverse Photoelectron Spectroscopy）が提案され、これまで測定が困難だった有機物の伝導帯や電子親和力が再現性よく測定できるようになりました。
表面分析トピックス
表面分析トピックス
最新トピックス
2023.08.04
２線源搭載ラボ型HAXPESで拡がる応用範囲
XPSと同様に信頼性の高いHAXPESスペクトルの取得が可能となり、表面分析の可能性が拡がっています。検出深さや軌道の選択範囲が広がり、さらに角度分解XPSの適用可能範囲も拡大しました。これまでの表面だけでなく、埋もれた界面の分析から界面の検出まで、新たな応用が期待できます。
2020.08.20
デュアルX線 と デュアルイオン銃で拡がる応用範囲
自動モデルのラボ型HAXPES装置「PHI Quantes」に、内蔵型Arモノマー/GCIBデュアルイオン銃の搭載が可能に。
2019.02.13
反射電子エネルギー損失分光法（REELS）
反射電子エネルギー損失分光（REELS：Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy）は、炭素材料をはじめとした各種材料表面の化学状態や電子状態の情報が得られる分析法として要望が高まっています。各種オプション構成が可能な PHI 5000 VersaProbe IIIに、新たにREELS測定用の低エネルギー電子銃オプションを追加しました。
2017.06.27
走査型デュアルモノクロX線を搭載した PHI Quantes
PHI Quantes は、エネルギーの異なる硬X線（Cr Kα線）と従来の軟X線（Al Kα線）の２線源を搭載し、微小領域から大面積まで高感度な分析を提供します。２種類のX線源は短時間･自動で切り替えることができ、試料の同一箇所を分析することが可能です。
2017.02.22
パラレルイメージングMS/MSオプションとは
パラレルイメージングMS/MSオプションをTOF-SIMSに搭載することで、最表面のタンデム質量分析の高速・高感度で実現し、スタティックな条件下でMS1とMS2の同時高速測定を可能にします。
2015.07.07
硬X線光電子分光法とは
硬X線光電子分光法の基本的な原理は、一般的なXPSと同様、試料表面に励起光を照射し、放出される光電子の運動エネルギーを測定するものです。XPS装置で最も多く使用されている単色化AlKα線の光子エネルギーが1486.6 eVであるのに対し、硬X線光電子分光法の励起源は光子エネルギーは5～8 keVと3倍以上になります。そのため、硬X線による光電子スペクトルには一般的なXPSでは知り得なかった多くの情報が含まれます。
2014.11.19
TRIFT™型アナライザーについて
トリプルフォーカス静電アナライザー（TRIFT™型アナライザー）は、広いエネルギーバンドパスと大きな取り込み立体角により、高質量分解能と高検出感度測定を同時に実現します。
2014.08.15
ガスクラスターイオンビームについて
ガスクラスターイオンビーム(Gas Cluster Ion Beam, GCIB)技術は京都大学で開発された日本発の先端技術です。GCIBはアルゴンなどのガス原子（分子）数千個程度から形成されるイオンビームで、既存のイオンビーム技術では達成できなかった1原子当りのエネルギーが極めて低いイオンビームエッチングと、エッチング後の表面の平坦化が実現します。