PHI ADEPT 2
四重極型二次イオン質量分析装置
- 高度化された自動測定
- 高速・高感度な深さ方向分析
- 究極の深さ方向分解能
- 超高真空が実現する究極の検出下限
概要
四重極型二次イオン質量分析装置（Q-pole-SIMS）は、元素の深さ方向分布を評価するための極めて高感度な分析手法であり、超高速なデプスプロファイリングにおいて卓越した性能を発揮します。
高透過率の四重極質量分析計と、新規設計された低エネルギーから高エネルギーまで網羅する一次イオン銃を搭載した ADEPT 2 は、薄膜やデバイス中のドーパントおよび不純物分析に最適な装置です。
次世代設計とハードウェアの特長
ADEPT 2 は、アルバック・ファイが開発した次世代のQ-pole-SIMS装置であり、先端半導体デバイスにおける進化する課題に対応するよう設計されています。実績ある ADEPT-1010 の基盤を継承しつつ、感度、分解能、自動化を向上させるための主要なハードウェアおよびソフトウェアの改良が施されています。これにより、研究開発用途から高スループットな製造環境まで、幅広い場面で理想的な分析ツールとなっています。
Cs⁺および O₂⁺ イオン源の両方に対して新設計されたカラムを採用し、より高いイオンビーム輝度を実現するとともに、幅広い材料に対して最適化された性能を発揮します。レンズと試料間の作動距離を短縮することで集束性能が向上し、ビーム径の微小化と、より高精度なクレーター形成が可能となりました。
オプションの ICP 酸素プラズマ源は、従来のデュオプラズマトロン源と比較して、より高いイオン電流、長いソース寿命、優れたビーム安定性を提供し、ダイナミックレンジの向上に寄与します。
制御ソフトウェア（SmartSoft-SIMS）
SmartSoft-SIMS 装置制御ソフトウェアの操作画面
SmartSoft-SIMS 装置制御ソフトウェアは、モダンで直感的なユーザーインターフェースを備え、多点分析や自動化を効率的に行うことができます。高度なイオン光学系および制御機能を備えた ADEPT 2 は、高精度SIMS分析の伝統を継承しつつ、次世代半導体デバイスのニーズに応えるために、その適用範囲をさらに拡張しています。
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